Eigenschaften Anzahl Elements per Chip 1 Betriebstemperatur min -55°C Channel Mode Verbesserung Channel Typ N Gehäuse SOIC Kategorie Leistungs-MOSFET Konfiguration Einfach, Vierfach-Drain, Dreifach-Source Maximum Betriebstemperatur 150°C Maximum Continuous Drain Strom 13A Maximum Drain Source Spannung 30V Maximum Drain Source Widerstand 0.008Ω Maximum Gate Source Spannung ±20V Montage SMD Pin-Anzahl 8 Produkt Breite 3.99mm Produkt Höhe 1.5mm Produkt Länge 5mm Typische Fall Time 13ns Typische Rise Time 13ns Typische Turn-Off Delay Time 40ns Typische Turn-On Delay Time 11ns