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57 Artikel gefunden
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IRL81A Infrarot-Diode 880nm (15110)
Eigenschaften
Anzahl LEDs 1
Funktion LED
Gehäuse 3 mm
Kategorie IR-LED
Maximum Betriebstemperatur 100°C
Maximum Durchlassspannung per Farbe 1.5V
Maximum Durchlassstrom 100mA
Minimum Betriebstemperatur -40°C
Montage Durchsteckmontage
Pin-Anzahl 2
Produktbreite 4mm
Produkthöhe 5.2mm
Produktlänge 4mm
Sichtwinkel 50°
Sperrspannung 5V
Spitzenwellenlänge 880nm
Typ IR-LED
Artikelpreis: 0.89 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF510 N-Ch. 4A 100V 43W 0,54R TO220 (20406)
Transistor-Typ N-MOSFET
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 4A
Verlustleistung 43W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 0.54?
Montage THT
Artikelpreis: 1.50 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF530 N-Ch. 14A 100V 80W 0,16R TO220 (18044)
Eigenschaften
Abmessungen 10.41 x 4.7 x 9.01mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
Channel Mode Enhancement
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 14 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Drain-Source-Widerstand max. 0.16 Ω
Eingangskapazität typ. @ Vds 670 pF @ 25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 26 nC @ 10 V
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Gehäusegröße TO-220AB
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Single
Montage-Typ Durchsteckmontage
Typical Turn-Off Delay Time 23 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Verlustleistung max. 80W
Artikelpreis: 1.50 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF3710 57A 100V N-Ch. MOSFET TO220 (14607)
Eigenschaften
Anzahl Elements per Chip 1
Channel Mode Verbesserung
Channel Typ N
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Einfach
Maximum Betriebstemperatur 175°C
Maximum Continuous Drain Strom 57A
Maximum Drain Source Spannung 100V
Maximum Drain Source Widerstand 0.023Ω
Maximum Gate Source Spannung ±20V
Minimum Operating Temperatur -55°C
Mounting Durchsteckmontage
Product Height 8.77
Product Length 10.54
Product Width 4.69
Supplier Package TO-220AB
Typische Fall Time 47ns
Typische Rise Time 58ns
Typische Turn-Off Delay Time 45ns
Typische Turn-On Delay Time 12ns
Artikelpreis: 1.79 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF9530N P-Ch 100V 14A 79W 0,2R TO220 (20683)
Transistor-Typ P-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung -100V
Drainstrom -14A
Verlustleistung 79W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 0.2?
Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF9Z24N P-Ch 55V 12A 45W 0,175R TO220 (16950)
Eigenschaften
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 '°C
Betriebstemperatur min. -55°C
Channel Mode Enhancement
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 12 A
Drain-Source-Spannung max. 55 V
Drain-Source-Widerstand max. 0,175 Ω
Eingangskapazität typ. @ Vds 350 pF V @ 25
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC V @ 10
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Gehäusegröße TO-220AB
Höhe 8.77mm
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Single
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Typical Turn-Off Delay Time 23 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Verlustleistung max. 45 W
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF540 N-Ch 100V 28A 150W 0,077R TO220 (17591)
Gehäusetyp: TO-220AB
Polarität: N-Kanal
Anschlussart: Durchsteckmontage
Max. Betriebsspannung: 100 V
Leistungsaufnahme: 100 W
Max. Stromstärke: 28 A
Max. Temperatur: 175 °C
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF1404 PBF N-Ch. 162A 40V 200W 0,004R TO220AB (19915)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 40V
Drainstrom 162A
Leistung 200W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 4m?
Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRLD024 N-Ch. 60V 1,8A 1,3W 0,14R DIP4 (19668)
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 1.8A
Leistung 1.3W
Gehäuse DIP4
Gate-Source Spannung ±10V
Widerstand im Leitungszustand 0.14?
Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF640N N-Ch 200V 18A 150W 0,15R TO220AB (19804)
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 200V
Drainstrom 18A
Leistung 150W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 150m?
Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRFZ44 PBF N-Ch 60V 50A 150W 0,028R TO220AB (20198)
Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 50A
Verlustleistung 150W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 0.028?
Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRFZ44N PBF N-Ch 55V 49A 94W 0,0175R TO220AB (13610)
Eigenschaften
Anzahl Elements per Chip 1
Channel Mode Verbesserung
Channel Typ N
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Einfach
Maximum Betriebstemperatur 175°C
Maximum Continuous Drain Strom 49A
Maximum Drain Source Spannung 55V
Maximum Drain Source Widerstand 0.0175Ω
Maximum Gate Source Spannung ±20V
Minimum Operating Temperatur -55°C
Mounting Durchsteckmontage
Product Height 8.77
Product Length 10.54
Product Width 4.69
Supplier Package TO-220AB
Typische Fall Time 45ns
Typische Rise Time 60ns
Typische Turn-Off Delay Time 44ns
Typische Turn-On Delay Time 12ns
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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