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560R 0,6W 1% 0207 Metallschichtwiderstand

E10 6,0V 0,1A 11,5x24mm Kugel

100uH Induktivität axial 0,6A 0,7R




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BF245B N-FET 30V 15mA 0,3W 6-15mA TO92 (12995)
MAXIMUM RATINGS

Rating Symbol Value Unit
Drain-Source Voltage VDS ±30 Vdc
Drain-Gate Voltage VDG 30 Vdc
Gate-Source Voltage VGS 30 Vdc
Drain Current ID 100 mAdc
Forward Gate Current IG(f) 10 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C PD 350 mW
Storage Channel Temperature Range Tstg -65 to +150 °C


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