Eigenschaften Betriebstemperatur max 175°C Betriebstemperatur min -55°C Drain Source Spannung max 30V Drain Source Widerstand max 4mΩ Gate Source Spannung max ±20V Verlustleistung max 2660mW Abfallzeit typ 8, 5ns Anschaltverzögerung typ 18, 10ns Anstiegszeit typ 20, 19ns Anzahl Elemente per Chip 1 Ausschaltverzögerung typ 24, 35ns Befestigung SMD Breite 6.22mm Channel Typ N Eingangskapazität @ Vds typ 4490pF Gate Charge @ Vgs typ 73nC Gehäuse DPAK Höhe 2.38mm Kanalmodus Enhancement Kategorie Leistungs-MOSFET Konfiguration Einfach Länge 6.73mm Maximum Continuous Drain Strom 19.6A Pin Anzahl 3