Eigenschaften
Abmessungen 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 9.65mm
Channel Mode Enhancement
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 110 A
Drain-Source-Spannung max. 55 V
Drain-Source-Widerstand max. 0,008 Ω
Eingangskapazität typ. @ Vds 3247 pF V @ 25
Gate-Ladung typ. @ Vgs 146 Öffner V @ 10
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Gehäusegröße D2PAK
Höhe 4.83mm
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Single
Länge 10.67mm
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Verlustleistung max. 200 W




    Preis: 4.95 €
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