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Bauteile -> aktive -> Halbleiter -> G... ->
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G20N50C N-CH. 11A 560V 250W 0,27R TO247AC MOSFET (19161)
Transistortyp N-MOSFET
Drain-Source Spannung 560V
Drainstrom 11A
Leistung 250W
Gehäuse TO247AC
Widerstand im Leitungszustand 270mΩ
Montage THT

Artikelpreis: 6.95 €   inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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GT30G122F IGBT 30A 400V TO220ISO (13987)
Model Number: GT30G122
Brand Name: TOSHIBA
Type: IGBT
Breakdown Voltage Vces: 400V
Ic: 120A
Used: Plasma display panels

Artikelpreis: 17.95 €   inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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